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SIM-Karten-Anschlüsse & Micro-SIM-Karten-Anschlüsse & Nano-SIM-Karten-Anschlüsse

Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P + 1P mit Schalter, PUSH PUSH, H1,29 mm KLS1-SIM-093

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P + 1P mit Schalter, PUSH PUSH, H 1,29 mm Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0 Kontakt: Kupferlegierung, Au 1u, Lötbereich: Vergoldet; Unterplatte Ni 40u“ Min. überall Gehäuse: SUS, plattiert 30U“ Ni insgesamt, Lötbereich: Vergoldet Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 50 V DC max. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Durchschlagsspannung: 500 V AC Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./250 VDC Betrieb...

Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P + 1P mit Schalter, PUSH PUSH, H1,56 mm KLS1-SIM-094

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P + 1P mit Schalter, PUSH PUSH, H1,56 mm Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0 Kontakt: Kupferlegierung, Au 1u, Lötbereich: Vergoldet; Unterplatte Ni 40u“ Min. überall Gehäuse: SUS, plattiert 30U“ Ni insgesamt, Lötbereich: Vergoldet Elektrisch: Nennstrom: 1,0 A Nennspannung: 50 V Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Durchschlagsfestigkeit: 500 V AC Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./250 VDC Betriebstemperatur...

Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P + 2P, PUSH PUSH, H1,28 mm KLS1-SIM-095

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 8P + 2P, PUSH PUSH, H 1,28 mm Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Kontakt: Kupferlegierung, Gold oder Nickel. Gehäuse: Edelstahl, Gold oder Nickel. Lötfläche: Mattverzinnt, 80u, plattiert, mit Goldblitz. Elektrisch: Nennstrom: 1 A Nennspannung: 30 V Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 V DC Spannungsfestigkeit: 500 V AC Steckzyklen: 5000 Steckvorgänge Betriebstemperatur...

Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P + 1P, PUSH PUSH, H3,65 mm KLS1-SIM-096

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P + 1P, PUSH PUSH, H 3,65 mm Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Kontakt Au: GF-Beschichtung. Gehäuse: Edelstahl. Schieberbeschichtung Au: 1u, Ni: 30u. Min. Elektrisch: Nennstrom: 1,0 A. Nennspannung: 50 V. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. / 500 V DC. Dielektrische Spannungsfestigkeit: 500 V AC. Luftfeuchtigkeit: 80 % relative Luftfeuchtigkeit max. Haltbarkeit: 5000 Zyklen min. Betriebsdauer...

Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P + 1P, PUSH PUSH, H1,85 mm, umgekehrte MID-Montage KLS1-SIM-097

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6P + 1P, PUSH PUSH, H 1,85 mm, Reverse MID-Montage. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Kontakt: Kupferlegierung, 30µm Nickel beschichtet, Lötfläche: Zinn, Kontaktfläche G/F. Gehäuse: Edelstahl, 30µm Nickel beschichtet, selektive Kontaktfläche. Elektrisch: Nennstrom: max. 0,5 A. Nennspannung: max. 50 V DC. Umgebungsfeuchtigkeit: max. 95 % relative Luftfeuchtigkeit. Kontaktwiderstand: max. 100 mΩ. Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ/250 V...

[Kopie] Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P + 1P, PUSH PUSH, H1,85 mm, Rückseitige MID-Montage KLS1-SIM-097

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P + 2P mit Schalter, DRÜCKEN, H 1,27 mm HINWEIS 1. Leitungskoplanarität: Max. 0,08 mm 2. Kein Rost, keine Verschmutzung, keine Beschädigung oder Verformung, die die Funktion beeinträchtigen 3. Bewegungsbereich des Schalters 4. Nicht kumulative Toleranz 5. Schaltplan des Schalters Material: A: Basisisolator: LCP, Schwarz. B: Abdeckung: Rostfrei, Nicht niederhalten: Nickel; Niederhalten: Au-Flash über Nickel. C: Kontaktanschluss: Kupferlegierung. Au über Nickel D: CAM-Platte: Kupferlegierung, Nickel. E: CAM-Schieber: LCP, Schwarz...

6P + 2P SIM-Kartenanschluss mit Schalter, Scharniertyp, H2,5 mm KLS1-SIM-010B

Produktbilder Produktinformationen 6P + 2P SIM-Karten-Anschluss mit Schalter, Scharniertyp, H2,5 mm Bestellinformationen: KLS1-SIM-010B-H2.5-8P-1-R Pins: 6 + 2 Pins mit Schalter 1 = ohne Stift R = Rollenpackung T = Rohrpackung Material: Isolierkörper: LCP. Farbe: Schwarz Kontakt: Phosphorbronze Beschichtung: Oberfläche: Zinngold oder Duplex-Beschichtung. Standard: 3u-Gold-Flash, komplett vernickelt. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Spannungsfestigkeit: 500 V AC Isolationswiderstand: 1000 MΩ Min. Kontaktwiderstand: 30 mΩ ...

6P + 2P SIM-Kartenanschluss mit Schalter, Scharniertyp, H2,5 mm KLS1-SIM-012C

Produktbilder Produktinformationen 6P+2P mit Schalter SIM-Karten-Anschluss, Scharniertyp, H2,5 mm Bestellinformationen: KLS1-SIM-012C-6+2P-R Stifte: 6+2 Stifte mit Schalter R=Rollenpackung T=Röhrenpackung Material: Gehäuse: LCP UL94V-0 Kontaktanschluss: Phosphorbronze Metallisches Gehäuse: Edelstahl-SUS304 Beschichtung: Kontaktanschlussbeschichtung Kontaktfläche: 5 μ" Gold Lötfläche: 100 μ" Zinn Unterbeschichtung: 50 μ" Nickel darüber Elektrisch: Nennspannung: 50 V max. Nennstrom: 1 A max...

Doppel-SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, H3,0 mm KLS1-SIM2-002A

Produktbilder Produktinformationen Doppel-SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, H3,0 mm Material: Gehäuse: hitzebeständiger Kunststoff, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung Gehäuse: Edelstahl Verarbeitung: Anschluss: Kontaktfläche vergoldet, Lötfahnen matt verzinnt, über Nickel unterplattiert Gehäuse: Lötfahnen vergoldet, über Nickel unterplattiert Elektrisch: Kontaktwiderstand: 50 mΩ Max. Spannungsfestigkeit: 350 V AC rms für 1 Minute Isolationswiderstand: 1000 MΩ ...

2-in-1-Micro-SIM- und SD-Kartenanschluss, 8P, H2,26 mm KLS1-SIM-109

Produktbilder Produktinformationen 2-in-1-Micro-SIM- und SD-Kartenanschluss, 8P, H2,26 mm. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, Vergoldung im Kontaktbereich 1u, Lötbereich vergoldet 1u. Oberschale: Edelstahl, Nickelplatte 50u. Unterschale: SUS304 R-1/2H T=0,10 mm, Nickelplatte 50u. Elektrisch: Einsteckkraft 1 kgf max., Ausziehkraft 0,1 kgf min. Haltbarkeit: SIM 5000 Zyklen, Kontaktwiderstand: Vor dem Testen 80 mΩ max., Nach...

Doppelter SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, H3,0 mm KLS1-SIM-033

Produktbilder Produktinformationen Doppel-SIM-Karten-Anschluss, Push-Pull, H3,0 mm. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0. Schwarz. Anschlüsse: Kupferlegierung. Alle Anschlüsse hauchvergoldet und mit mindestens 12,7µm Nickel unterplattiert. Gehäuse: Edelstahl. Mit mindestens 12,7µm Nickel unterplattiert, Lötfläche hauchvergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5,0 Vrms. Isolationswiderstand: mindestens 1000 MΩ bei 500 V DC. Spannungsfestigkeit: 250 V AC RMS für 1 Minute. Kontakt...

2-in-1-SIM-Karte + Micro-SD-Anschluss, PUSH PULL, H2,7 mm KLS1-SIM-024

Produktbilder Produktinformationen 2-in-1-SIM-Karte + Micro-SD-Anschluss, Push-Pull, H2,7 mm. Elektrisch: Spannung: 100 V AC, Stromstärke: 0,5 A max. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Spannungsfestigkeit: 500 V AC. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Mechanisch: Kraft beim Einstecken und Herausziehen der Karte: 13,8 N max. Eindrückkraft: 19,6 N max. Haltbarkeit: 10.000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C. Elektrisch: Spannung: 100 V AC, Stromstärke: 0,5 A max. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Spannungsfestigkeit...

Nano-SIM-Kartenanschluss; PUSH PULL, 6-polig, H1,40 mm KLS1-SIM-113

Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Kartenanschluss; Push-Pull, 6-polig, H 1,40 mm Material: Isolator: LCP, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 u ” Ni-beschichtet, Kontakt komplett aus Au 1 u. Gehäuse: SUS, 50 u ” Ni-beschichtet, PAD Au 1 u. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A AC/DC max. Nennspannung: 30 V AC/DC Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Betriebstemperatur: -45ºC ~ +85 °C

Nano-SIM-Kartenanschluss, PUSH PUSH, 6-polig, H1,37 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-066

Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6-polig, H1,37 mm, mit CD-Pin Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung, plattiert 50u” Ni insgesamt, PAD Au 1u. Gehäuse: SUS, komplett Ni 30U/MIN. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A Ampere Nennspannung: 5 V AC/DC Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 V DC Betriebstemperatur: -45ºC~+85ºC

Nano-SIM-Kartenanschluss, PUSH PUSH, 6-polig, H1,25 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-103

Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6-polig, H1,25 mm, mit CD-Pin Material: Kontakt: Kupferlegierung. Au über Ni. Gehäuse: Glasgefülltes LCP. Schale: Edelstahl. Au über Ni. GND-Rahmen: Kupferlegierung. Au über Ni. Erkennungsschalter: Kupferlegierung. Au über Ni. Schieber: Glasgefülltes Pa10t. Feder: Edelstahl. Haken: Edelstahl. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A max. Nennspannung: 30 V AC Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 VDC Spannungsfestigkeit: 500...

Nano-SIM-Kartenanschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,55 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-104

Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,55 mm, mit CD-Pin. Elektrisch: Nennstrom: 1 Ampere/Pin. Max. Spannung: 30 V DC. Max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ Max. anfänglich. Spannungsfestigkeit: 500 V AC min. für 1 Minute. Isolationswiderstand: 100 MΩ min. 500 V DC für 1 Minute. Haltbarkeit: 1500 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C

Nano-SIM-Kartenanschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,5 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-102

Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,5 mm, mit CD-Pin. Elektrische Eigenschaften: Nennstrom: 1 Ampere/Pin. Max. Spannung: 30 V DC. Max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ Max. anfänglich. Spannungsfestigkeit: 500 V AC min. für 1 Minute. Isolationswiderstand: 100 MΩ min. 500 V DC für 1 Minute. Haltbarkeit: 1000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C.

Nano-SIM-Kartenanschluss; MID-Mount-Tray-Typ, 6-polig, H1,5 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-100

Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Kartenanschluss; MID-Montage-Fachtyp, 6-polig, H1,5 mm, mit CD-Pin Material: Kunststoff: LCP, UL94V-0. Schwarz. Kontakt: C5210 Gehäuse: SUS304 Fach: LCP, UL94V-0. Schwarz. Beschichtung: Kontakt: Kontaktbereich: G/F-Beschichtung; Lötfahnenbereich: 80 u Zoll mattes Zinngehäuse: Beschichtung über 30 u Zoll Ni, lötbar, 30 u Zoll Ni-Beschichtung insgesamt. Kontakt- und Fahnenkoplanarität insgesamt 0,10 mm.

Nano-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,4 mm, Scharniertyp, mit CD-Pin KLS1-SIM-101

Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,4 mm, klappbar, mit CD-Pin. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, vergoldete Kontaktflächen und Lötfahnen, komplett vernickelt. Gehäuse: Edelstahl, vergoldete Lötfahnen, komplett vernickelt. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A max. Nennspannung: 30 V AC Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 V DC Dielektrische Belastbarkeit...

Nano-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,4 mm, Scharniertyp, mit CD-Pin KLS1-SIM-077A

Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,4 mm, klappbar, mit CD-Pin. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung, plattiert 50u” Ni. Gesamtkontakt: Alle Au 1U. Gehäuse: SUS, alle Ni 30U min. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A AC/DC max. Nennspannung: 125 V AC/DC. Umgebungsfeuchtigkeit: 95 % RH max. Kontaktwiderstand: 80 mΩ max. Isolationswiderstand: 100 MΩ min./100 V DC. Steckzyklen: 5000. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C.

Nano-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,4 mm, Scharniertyp, ohne CD-Pin KLS1-SIM-077

Produktbilder Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,4 mm, klappbar, ohne CD-Pin. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 mm² Ni-plattiert. Gesamtkontakt: 1 U. Gehäuse: Edelstahl, 1 U. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5 V AC/DC. Umgebungsfeuchtigkeit: max. 95 % relative Luftfeuchtigkeit. Kontaktwiderstand: max. 80 mΩ. Isolationswiderstand: min. 100 MΩ/100 V DC. Steckzyklen: 10.000 Steckvorgänge. Betriebstemperatur: -45ºC bis +85ºC. Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1 …

Nano-SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, 6-polig, H1,4 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-092

Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, Push-Pull, 6-polig, H1,4 mm, mit CD-Pin. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, selektiv 1u” Au im Kontaktbereich. Gehäuse: Edelstahl. Selektive Goldauflage im Lötbereich. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A, max. Nennspannung: 30 V AC, Kontaktwiderstand: 100 mΩ, max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ, min./500 V DC, Spannungsfestigkeit: 500 V AC/Minute. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. Betriebstemperatur...

Nano-SIM-Kartenanschluss; PUSH PULL, 6-polig, H1,35 mm KLS1-SIM-076

Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Kartenanschluss; Push-Pull, 6-polig, H 1,35 mm Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 u Zoll Nickel beschichtet, Kontakte komplett aus Au 1 u. Gehäuse: SUS, 50 u Zoll Nickel beschichtet, PAD Au 1 u. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A AC/DC max. Nennspannung: 125 V AC/DC Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. 500 V DC Betriebstemperatur: -45ºC ~ +85 C

Nano-SIM-Kartenanschluss; PUSH PULL, 6-polig, H1,2 mm KLS1-SIM-D01

Produktbilder Produktinformationen Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Schwarz Kontakt: Kupferlegierung 0,10T, Gold-Flash auf Kontaktfläche und Lötfläche 50U” Min. Nickel-Unterbeschichtung Gehäuse: Edelstahl 0,10T, Nickelbeschichtung über alles Elektrische Eigenschaften: Nennstrom: 1A Kontaktwiderstand: 100mΩ Max. Isolationswiderstand: 500MΩ Min. Spannungsfestigkeit: 500V RMS Min. Lebensdauertest: 1500 Zyklen
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