Nano-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,4 mm, Scharniertyp, ohne CD-Pin KLS1-SIM-077
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,4 mm, klappbar, ohne CD-Pin. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 mm² Ni-beschichtet. Gesamtkontakt: komplett aus Au 1U. Gehäuse: SUS, komplett aus Ni 30 U/min. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5 V AC/DC. Umgebungsfeuchtigkeit: max. 95 % relative Luftfeuchtigkeit. Kontaktwiderstand: max. 80 mΩ. Isolationswiderstand: min. 100 MΩ/100 V DC. Steckzyklen: 10.000 Einsteckvorgänge. Betriebstemperatur: -45 °C bis ...
Nano-SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, 6-polig, H1,4 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-092
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss, Push-Pull, 6-polig, H1,4 mm, mit CD-Pin. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, selektiv 1u" Au im Kontaktbereich. Gehäuse: Edelstahl, selektive Goldbeschichtung im Lötbereich. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A, max. Nennspannung: 30 V AC, Kontaktwiderstand: 100 mΩ, max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ, min./500 V DC, Spannungsfestigkeit: 500 V AC/Minute. Haltbarkeit: 5000...
Nano-SIM-Kartenanschluss; PUSH PULL, 6-polig, H1,35 mm KLS1-SIM-076
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss; Push-Pull, 6-polig, H 1,35 mm. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 mm (1,27 mm) Nickel beschichtet, Kontakt komplett aus Au 1 mm. Gehäuse: SUS, 50 mm (1,27 mm) Nickel beschichtet, PAD Au 1 mm. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A AC/DC max. Nennspannung: 125 V AC/DC. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. 500 V DC. Betriebstemperatur: -45ºC bis +85ºC. Teilenummer: Beschreibung...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 8-polig, H1,5 mm, Scharniertyp KLS1-SIM-089
Produktinformationen: Micro-SIM-Karten-Anschluss, 8-polig, H1,5 mm, klappbar. Gehäusematerial: Thermoplast, UL94V-0. Anschluss: Phosphorbronze, T=0,15, Unterseite vernickelt, Kontaktfläche vergolden, Lötfahne verzinnt. Gehäuse: Edelstahl, T=0,15, Unterseite vernickelt, Lötfahne verzinnt. Elektrischer Kontaktwiderstand: max. 60 mΩ. Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ. Spannungsfestigkeit: 500 V AC für 1 Minute. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. Betriebstemperatur: ...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,8 mm, Scharniertyp KLS1-SIM-072
Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,8 mm, Scharniertyp. Material: Gehäuse: LCP, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Gehäuse: Edelstahl. Elektrisch: Nennstrom: 1 A max. Nennspannung: 30 V DC max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Durchschlagspannung: 500 V rms/min. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C. Artikelnummer Beschreibung Stück/Karton GW (kg) CMB (m³) Bestellmenge ...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,5 mm, Tray-Typ KLS1-SIM-075
Produktinformationen: Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H 1,5 mm, Tray-Typ. Material: Isoliermaterial: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Alle Anschlüsse sind hauchvergoldet, mindestens 50 µm vernickelt. Gehäuse: 50 µm vernickelt, Lötfläche hauchvergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A, Nennspannung: 5,0 Veff, Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ/500 V DC, Spannungsfestigkeit: 250 V ACeff für 1 Minute ...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P, PUSH PULL, H1,5 mm KLS1-SIM-099
Produktinformationen: Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, Push-Pull, H 1,5 mm. Gehäusematerial: Thermoplast, UL94V-0. Anschluss: Kupferlegierung, vergoldete Kontaktflächen und Lötfahnen, vernickelt. Gehäuse: Edelstahl, vernickelt, vergoldete Lötfahnen. Elektrisch: Nennstrom: max. 1,0 A. Kontaktwiderstand: max. 30 mΩ. Spannungsfestigkeit: 500 V AC. Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ/500 V DC. Betriebstemperatur: -45 °C bis +8 °C.
Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P, PUSH PULL, H1,5 mm KLS1-SIM-091
Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 8P, PUSH PULL, H1,5 mm. Elektrisch: Nennstrom: 1,0 A. Nennspannung: 30 V. Kontaktwiderstand: 50 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 V DC. Dielektrische Spannungsfestigkeit: 500 V AC. Lötbarkeit: 250 °C ~ 100 °C, 100 °C 0,5 s. Haltbarkeit: 5000 Zyklen min. Kontaktwiderstand: 50 mΩ max. Betriebstemperatur: -45 °C ~ +85 °C. Teilenummer Beschreibung STK./Karton GW (kg) CMB (m3) Bestellmenge Zeit O...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P, H1,45 mm KLS1-SIM-046
Produktinformationen: Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H 1,45 mm. Material: Isoliermaterial: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, min. 12,7µm, vollflächig vernickelt, vollflächig verzinnt. Gehäuse: Edelstahl, min. 12,7µm, vollflächig vernickelt, Lötfahne. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 5,0 V Isolationswiderstand: min. 500 MΩ/500 V DC Spannungsfestigkeit: 250 V AC für 1 Minute. Kontaktwiderstand: 100 mΩ ...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P
Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P
Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P
Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P
P-H1.5-R )
Micro-SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P+1P oder 8P+1P, H1,50 mm KLS1-SIM-090
Micro-SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P oder 6P+1P, H1,35 mm KLS1-SIM-069
Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss: PUSH PUSH, 6P oder 6P+1P, H 1,35 mm, ohne Pol. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0 Kontakt: Kupferlegierung, 50U" Ni-beschichtet, Gesamtkontakt Au 1U Gehäuse: SUS, 50U" Ni-beschichtet, Gesamtkontakt Au 1U, selektiver Kontaktbereich, elektrisch: Nennstrom: 0,5 A max. Nennspannung: 5 V AC/DC Kontaktwiderstand: 100 m max. Isolationswiderstand: 1000 M min./500 VDC Umgebungsfeuchtigkeitsbereich: 95 % RH Ma...
Micro-SIM-Kartenanschluss 8P, PUSH PULL, H2,4mm KLS1-SIM-044-8P
Produktinformationen: Micro-SIM-Karten-Anschluss 8P, Push-Pull, H2,4 mm. Material: Basis: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Datenkontakt: Kupferlegierung, vergoldet. Gehäuse: Edelstahl, vergoldet. Elektrisch: Kontaktwiderstand: 50 mΩ typisch, 100 Ω max. Isolationswiderstand: >1000 MΩ/500 V DC. 3. Lötbarkeit: Dampfphase: 215 °C, 30 Sek. max. IR-Durchfluss: 250 °C, 5 Sek. max. Manuelles Löten: 370 °C, 3 Sek. max. Betriebstemperatur: -45 °C bis +105 °C.
Micro-SIM-Kartenanschluss 6P, PUSH PULL, H2,4mm KLS1-SIM-044-6P
Produktinformationen: Micro-SIM-Karten-Anschluss 6P, Push-Pull, H2,4 mm. Material: Basis: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Datenkontakt: Kupferlegierung, vergoldet. Gehäuse: Edelstahl, vergoldet. Elektrisch: Kontaktwiderstand: 50 mΩ typisch, 100 Ω max. Isolationswiderstand: >1000 MΩ/500 V DC. 3. Lötbarkeit: Dampfphase: 215 °C, 30 Sek. max. IR-Durchfluss: 250 °C, 5 Sek. max. Manuelles Löten: 370 °C, 3 Sek. max. Betriebstemperatur: -45 °C bis +105 °C.
SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P+2P, H1,80 mm, mit oder ohne Anschluss. KLS1-SIM-110
Produktinformationen SIM-Karten-Anschluss; PUSH PUSH, 6P+2P, H1,80 mm. Mit oder ohne Anschluss. Material: Gehäusematerial: LCP UL94V-0. Kontaktmaterial: Zinnbronze. Verpackung: Gurtverpackung. Elektrische Eigenschaften: Nennspannung: 100 V AC. Nennstrom: 0,5 A max. Spannungsfestigkeit: 250 V AC/1 Minute. Isolationswiderstand: ≥1000 ΜΩ. Kontaktwiderstand: ≤30 mΩ. Lebensdauer:
SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 8P+1P, H1,9mm, mit Pfosten KLS1-SIM-108
Produktinformationen: SIM-Karten-Anschluss, Push-Push, 8P+1P, H1,9 mm, mit Anschlussstift. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung. Gehäuse: Kupferlegierung. Beschichtung: Kontaktfläche: Vergoldet. Lötfläche: min. 80µ, matt verzinnt. Unterplatte: min. 30µ, Nickel. Gehäuse: min. 30µ, vernickelt. Lötfläche: Vergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Spannungsfestigkeit: AC 500 V rms. Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ, bei DC 500 V ...
SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6P+1P, H1,9mm, mit Pfosten KLS1-SIM-107
Produktinformationen: SIM-Karten-Anschluss, Push-Push, 6P+1P, H1,9 mm, mit Anschlussstift. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung. Gehäuse: Kupferlegierung/Stahl. Beschichtung: Kontaktfläche: Vergoldet. Lötfläche: min. 80µ, matt verzinnt. Unterplatte: min. 30µ, Nickel. Gehäuse: min. 30µ, vernickelt. Lötfläche: Vergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Spannungsfestigkeit: AC 500 V rms. Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ, bei...
SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P, H1,85 mm KLS1-SIM-106
Produktinformationen SIM-Karten-Steckverbinder, PUSH PUSH, 6P, H1,85 mm, mit Pfostengehäuse: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung. Gehäuse: Edelstahl. Oberfläche: Vergoldete Kontaktfläche, verzinnte Lötfahnen. Artikelnummer Beschreibung Stück/Karton GW(kg) CMB(m³) Bestellmenge Zeit Bestellen
SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6P, H1,85 mm, ohne Pol KLS1-SIM-087
Produktinformationen: SIM-Karten-Steckverbinder, Push-Push, 6-polig, H 1,85 mm, ohne Anschluss. Material: Isolierkörper: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, schwarz. Kontakt: Kupferlegierung, T = 0,15 mm. Gehäuse: Edelstahl, T = 0,15 mm. Oberfläche: Anschluss: min. 50µm Nickel, vollflächig unterplattiert, Kontaktfläche vergoldet, min. 80µm Zinn auf der Lötfahne. Gehäuse: min. 50µm Nickel, vollflächig unterplattiert, Lötfahne vergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5,0 Vrms. Isolationswiderstand...- English
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