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SIM-Karten-Anschlüsse & Micro-SIM-Karten-Anschlüsse & Nano-SIM-Karten-Anschlüsse

Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,42 mm, KLS1-SIM-105

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H 1,42 mm Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL 94V-0 Kontakt: Kupferlegierung, 50 u ” Ni-plattiert Gesamtkontakt Au 1 U Gehäuse: SUS, 50 u ” Ni-plattiert Gesamtkontakt Au plattiert Selektiver Kontaktbereich Elektrische Eigenschaften: Nennstrom: 0,5 mA AC/DC max. Nennspannung: 125 V AC/DC Umgebungstemperaturbereich: -20 °C – +60 °C Lagertemperaturbereich: -40 °C – +70 °C Umgebungsfeuchtigkeitsbereich: 95 % RH max. Kontaktwiderstand...

Micro-SIM-Karte, ANSCHLUSS, 6P, H1,45 mm, SMD KLS1-SIM-046

Produktbilder Produktinformationen Material: Gehäuse: LCP, UL94V-0 Kontakt: C5210, hauchvergoldet im Kontaktbereich; hauchvergoldete Lötfahnen; mit durchgehendem Kontakt, vernickelt, Gehäuse: SUS304, insgesamt vernickelt, hauchvergoldete Lötfahnen Elektrische Spezifikationen: Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 5 V Kontaktwiderstand: max. 50 mΩ Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ Haltbarkeit: min. 3000 Zyklen

Micro-SIM-Kartenanschluss, 8-polig, H1,5 mm, Scharniertyp KLS1-SIM-089

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 8-polig, H1,5 mm, klappbar. Gehäusematerial: Thermoplast, UL94V-0. Anschluss: Phosphorbronze, T=0,15, Unterseite vernickelt, Kontaktfläche vergoldet, Lötfahne g/f-plattiert. Gehäuse: Edelstahl, T=0,15, Unterseite vernickelt, Lötfahne g/f-plattiert. Elektrischer Kontaktwiderstand: 60 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Spannungsfestigkeit: 500 V AC für 1 Minute. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C.

Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,8 mm, Scharniertyp KLS1-SIM-072

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,8 mm, Scharniertyp Material: Gehäuse: LCP, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Gehäuse: Edelstahl. Elektrisch: Nennstrom: 1 A max. Nennspannung: 30 V DC max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Durchschlagspannung: 500 V rms/min. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C

Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,5 mm, Tray-Typ KLS1-SIM-075

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H 1,5 mm, Tray-Typ. Material: Isolator: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Alle Anschlüsse sind hauchvergoldet, Aad min. 50µ” Nickel-Unterbeschichtung. Gehäuse: 50µ” Nickel-Unterbeschichtung, Lötpads hauchvergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 5,0 Veff Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ/500 V DC Spannungsfestigkeit: 250 V ACeff für 1 Minute Kontaktwiderstand...

Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P, PUSH PULL, H1,5 mm KLS1-SIM-099

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6P, Push-Pull, H1,5 mm Material Gehäuse: Thermoplast, UL94V-0. Anschluss: Kupferlegierung, vergoldet im Kontaktbereich und an den Lötfahnen, insgesamt vernickelt. Gehäuse: Edelstahl, insgesamt vernickelt, vergoldet an den Lötfahnen. Elektrisch: Nennstrom: 1,0 A max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. Spannungsfestigkeit: 500 V AC Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 V DC Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C

Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P, PUSH PULL, H1,5 mm KLS1-SIM-091

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P, PUSH PULL, H1,5 mm Elektrisch: Nennstrom: 1,0 A Nennspannung: 30 V Kontaktwiderstand: 50 mΩ Max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ Min./500 V DC Dielektrische Spannungsfestigkeit: 500 V AC Lötbarkeit: 250 °C ~ 100 °C, 100 °C 0,5 s Haltbarkeit: 5000 Zyklen Min. Kontaktwiderstand: 50 mΩ Max. Betriebstemperatur: -45 °C ~ +85 °C

Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P

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Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P

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Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P

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Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P

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Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P

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Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P

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Micro-SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P+1P oder 8P+1P, H1,50 mm KLS1-SIM-090

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss; PUSH PUSH, 6P+1P oder 8P+1P, H1,50 mm Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 5,0 Veff Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 M min. Spannungsfestigkeit: 250 V ACeff für 1 Minute. Betriebstemperaturbereich: -45 °C bis +105 °C Material: Isolator: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, schwarz Anschluss: Kupferlegierung, alle Anschlüsse mit Gold-Flash-Beschichtung und mindestens 50 µm Nickel-Unterbeschichtung. Gehäuse: Edelstahl, 50 µ&...

Micro-SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P oder 6P+1P, H1,35 mm KLS1-SIM-069

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P oder 6P+1P, H 1,35 mm, ohne Pol. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0 Kontakt: Kupferlegierung, 50U” Ni-beschichtet Gesamtkontakt Au 1U Gehäuse: SUS, 50U” Ni-beschichtet Gesamtkontakt Au 1U Selektiver Kontaktbereich Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A max. Nennspannung: 5 V AC/DC Kontaktwiderstand: 100 m max. Isolationswiderstand: 1000 M min./500 VDC Umgebungsfeuchtigkeitsbereich: 95 % RH max. Mati...

Micro-SIM-Kartenanschluss 8P, PUSH PULL, H2,4mm KLS1-SIM-044-8P

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss 8P, Push-Pull, H2,4 mm Material: Basis: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Datenkontakt: Kupferlegierung, vergoldet. Gehäuse: Edelstahl, vergoldet. Elektrisch: Kontaktwiderstand: 50 mΩ typisch, 100 Ω max. Isolationswiderstand: >1000 MΩ/500 V DC. 3. Lötbarkeit Dampfphase: 215 °C, 30 Sek. max. IR-Durchfluss: 250 °C, 5 Sek. max. Manuelles Löten: 370 °C, 3 Sek. max. Betriebstemperatur: -45 °C bis +105 °C

Micro-SIM-Kartenanschluss 6P, PUSH PULL, H2,4mm KLS1-SIM-044-6P

Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss 6P, Push-Pull, H2,4 mm Material: Basis: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Datenkontakt: Kupferlegierung, vergoldet. Gehäuse: Edelstahl, vergoldet. Elektrisch: Kontaktwiderstand: 50 mΩ typisch, 100 Ω max. Isolationswiderstand: >1000 MΩ/500 V DC. 3. Lötbarkeit Dampfphase: 215 °C, 30 Sek. max. IR-Durchfluss: 250 °C, 5 Sek. max. Manuelles Löten: 370 °C, 3 Sek. max. Betriebstemperatur: -45 °C bis +105 °C

SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P+2P, H1,80 mm, mit oder ohne Anschluss. KLS1-SIM-110

Produktbilder Produktinformationen SIM-Karten-Anschluss; PUSH PUSH, 6P+2P, H1,80 mm Mit oder ohne Anschluss. Material: Gehäusematerial: LCP UL94V-0 Kontaktmaterial: Zinnbronze Verpackung: Gurtverpackung Elektrische Eigenschaften: Nennspannung: 100 V AC Nennstrom: 0,5 A max. Spannungsfestigkeit: 250 V AC/1 Minute Isolationswiderstand: ≥1000 ΜΩ Kontaktwiderstand: ≤30 mΩ Lebensdauer: >5000 Zyklen Betriebstemperatur: -45ºC~+85ºC

SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 8P+1P, H1,9mm, mit Pfosten KLS1-SIM-108

Produktbilder Produktinformationen SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 8P+1P, H1,9 mm, mit Pfostenmaterial: Gehäuse: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung. Gehäuse: Kupferlegierung. Beschichtung: Kontaktfläche: Vergoldet. Lötfläche: min. 80µ, matt verzinnt. Unterplatte: min. 30µ, Nickel. Gehäuse: min. 30µ, vernickelt. Lötfläche: Vergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Spannungsfestigkeit: AC 500 V rms. Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ, bei DC 500 V. Kontaktwiderstand...

SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6P+1P, H1,9mm, mit Pfosten KLS1-SIM-107

Produktbilder Produktinformationen SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6P+1P, H1,9 mm, mit Pfostenmaterial: Gehäuse: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung. Gehäuse: Kupferlegierung/Stahl. Beschichtung: Kontaktfläche: Vergoldet. Lötfläche: min. 80µ, matt verzinnt. Unterplatte: min. 30µ, Nickel. Gehäuse: min. 30µ, vernickelt. Lötfläche: Vergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Spannungsfestigkeit: AC 500 V rms. Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ, bei DC 500 V Dauer...

SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P, H1,85 mm KLS1-SIM-106

Produktbilder Produktinformationen SIM-Karten-Steckverbinder, PUSH PUSH, 6P, H1,85 mm, mit Pfostengehäuse: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung. Gehäuse: SUS. Oberfläche: Vergoldet im Kontaktbereich, verzinnt an den Lötfahnen.

SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6P, H1,85 mm, ohne Pol KLS1-SIM-087

Produktbilder Produktinformationen SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6P, H1,85 mm, ohne Anschluss. Material: Isolator: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, Schwarz. Kontakt: Kupferlegierung, T=0,15 mm. Gehäuse: Edelstahl, T=0,15 mm. Oberfläche: Anschluss: min. 50µ” Nickel-Unterbeschichtung, Kontaktfläche vergoldet, min. 80µ” Zinn auf Lötfahne. Gehäuse: min. 50µ” Nickel-Unterbeschichtung, Lötfahne vergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5,0 Vrms. Isolationswiderstand: 500...

SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6P+2P, H1,85mm, ohne Pol KLS1-SIM-086

Produktbilder Produktinformationen SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6P+2P, H1,85 mm, ohne Anschluss. Material: Isolator: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, Schwarz. Kontakt: Kupferlegierung, T=0,15 mm. Gehäuse: Edelstahl, T=0,15 mm. Oberfläche: Anschluss: min. 50µ” Nickel-Unterbeschichtung, Kontaktfläche vergoldet, min. 80µ” Zinn auf Lötfahne. Gehäuse: min. 50µ” Nickel-Unterbeschichtung, Lötfahne vergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5,0 Vrms. Isolationswiderstand:...

SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 8P+2P, H1,85mm, ohne Pol KLS1-SIM-085A

Produktbilder Produktinformationen SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 8P+2P, H1,85 mm, ohne Anschluss. Material: Isolierkörper: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, Schwarz. Kontakt: Kupferlegierung, T=0,15 mm. Gehäuse: Edelstahl, T=0,15 mm. Oberfläche: Anschluss: min. 50µ” Nickel-Unterbeschichtung, Kontaktfläche vergoldet, min. 80µ” Zinn auf Lötfahne. Gehäuse: min. 50µ” Nickel-Unterbeschichtung, Lötfahne vergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5,0 Vrms. Isolationswiderstand...
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