Nano-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,4 mm, Scharniertyp, mit CD-Pin KLS1-SIM-101
Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,4 mm, klappbar, mit CD-Pin. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, vergoldete Kontaktflächen und Lötfahnen, komplett vernickelt. Gehäuse: Edelstahl, vergoldete Lötfahnen, komplett vernickelt. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A max. Nennspannung: 30 V AC Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 V DC Dielektrische Belastbarkeit...
Nano-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,4 mm, Scharniertyp, mit CD-Pin KLS1-SIM-077A
Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,4 mm, klappbar, mit CD-Pin. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung, plattiert 50u” Ni. Gesamtkontakt: Alle Au 1U. Gehäuse: SUS, alle Ni 30U min. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A AC/DC max. Nennspannung: 125 V AC/DC. Umgebungsfeuchtigkeit: 95 % RH max. Kontaktwiderstand: 80 mΩ max. Isolationswiderstand: 100 MΩ min./100 V DC. Steckzyklen: 5000. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C.
Nano-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,4 mm, Scharniertyp, ohne CD-Pin KLS1-SIM-077
Produktbilder Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,4 mm, klappbar, ohne CD-Pin. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 mm² Ni-plattiert. Gesamtkontakt: 1 U. Gehäuse: Edelstahl, 1 U. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5 V AC/DC. Umgebungsfeuchtigkeit: max. 95 % relative Luftfeuchtigkeit. Kontaktwiderstand: max. 80 mΩ. Isolationswiderstand: min. 100 MΩ/100 V DC. Steckzyklen: 10.000 Steckvorgänge. Betriebstemperatur: -45ºC bis +85ºC. Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1 …
Nano-SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, 6-polig, H1,4 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-092
Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, Push-Pull, 6-polig, H1,4 mm, mit CD-Pin. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, selektiv 1u” Au im Kontaktbereich. Gehäuse: Edelstahl. Selektive Goldauflage im Lötbereich. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A, max. Nennspannung: 30 V AC, Kontaktwiderstand: 100 mΩ, max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ, min./500 V DC, Spannungsfestigkeit: 500 V AC/Minute. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. Betriebstemperatur...
Nano-SIM-Kartenanschluss; PUSH PULL, 6-polig, H1,35 mm KLS1-SIM-076
Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Kartenanschluss; Push-Pull, 6-polig, H 1,35 mm Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 u Zoll Nickel beschichtet, Kontakte komplett aus Au 1 u. Gehäuse: SUS, 50 u Zoll Nickel beschichtet, PAD Au 1 u. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A AC/DC max. Nennspannung: 125 V AC/DC Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. 500 V DC Betriebstemperatur: -45ºC ~ +85 C
Nano-SIM-Kartenanschluss; PUSH PULL, 6-polig, H1,2 mm KLS1-SIM-D01
Produktbilder Produktinformationen Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Schwarz Kontakt: Kupferlegierung 0,10T, Gold-Flash auf Kontaktfläche und Lötfläche 50U” Min. Nickel-Unterbeschichtung Gehäuse: Edelstahl 0,10T, Nickelbeschichtung über alles Elektrische Eigenschaften: Nennstrom: 1A Kontaktwiderstand: 100mΩ Max. Isolationswiderstand: 500MΩ Min. Spannungsfestigkeit: 500V RMS Min. Lebensdauertest: 1500 Zyklen
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,42 mm, KLS1-SIM-105
Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H 1,42 mm Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL 94V-0 Kontakt: Kupferlegierung, 50 u ” Ni-plattiert Gesamtkontakt Au 1 U Gehäuse: SUS, 50 u ” Ni-plattiert Gesamtkontakt Au plattiert Selektiver Kontaktbereich Elektrische Eigenschaften: Nennstrom: 0,5 mA AC/DC max. Nennspannung: 125 V AC/DC Umgebungstemperaturbereich: -20 °C – +60 °C Lagertemperaturbereich: -40 °C – +70 °C Umgebungsfeuchtigkeitsbereich: 95 % RH max. Kontaktwiderstand...
Micro-SIM-Karte, ANSCHLUSS, 6P, H1,45 mm, SMD KLS1-SIM-046
Produktbilder Produktinformationen Material: Gehäuse: LCP, UL94V-0 Kontakt: C5210, hauchvergoldet im Kontaktbereich; hauchvergoldete Lötfahnen; mit durchgehendem Kontakt, vernickelt, Gehäuse: SUS304, insgesamt vernickelt, hauchvergoldete Lötfahnen Elektrische Spezifikationen: Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 5 V Kontaktwiderstand: max. 50 mΩ Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ Haltbarkeit: min. 3000 Zyklen
Micro-SIM-Kartenanschluss, 8-polig, H1,5 mm, Scharniertyp KLS1-SIM-089
Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 8-polig, H1,5 mm, klappbar. Gehäusematerial: Thermoplast, UL94V-0. Anschluss: Phosphorbronze, T=0,15, Unterseite vernickelt, Kontaktfläche vergoldet, Lötfahne g/f-plattiert. Gehäuse: Edelstahl, T=0,15, Unterseite vernickelt, Lötfahne g/f-plattiert. Elektrischer Kontaktwiderstand: 60 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Spannungsfestigkeit: 500 V AC für 1 Minute. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C.
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,8 mm, Scharniertyp KLS1-SIM-072
Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,8 mm, Scharniertyp Material: Gehäuse: LCP, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Gehäuse: Edelstahl. Elektrisch: Nennstrom: 1 A max. Nennspannung: 30 V DC max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Durchschlagspannung: 500 V rms/min. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,5 mm, Tray-Typ KLS1-SIM-075
Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H 1,5 mm, Tray-Typ. Material: Isolator: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Alle Anschlüsse sind hauchvergoldet, Aad min. 50µ” Nickel-Unterbeschichtung. Gehäuse: 50µ” Nickel-Unterbeschichtung, Lötpads hauchvergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 5,0 Veff Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ/500 V DC Spannungsfestigkeit: 250 V ACeff für 1 Minute Kontaktwiderstand...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P, PUSH PULL, H1,5 mm KLS1-SIM-099
Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6P, Push-Pull, H1,5 mm Material Gehäuse: Thermoplast, UL94V-0. Anschluss: Kupferlegierung, vergoldet im Kontaktbereich und an den Lötfahnen, insgesamt vernickelt. Gehäuse: Edelstahl, insgesamt vernickelt, vergoldet an den Lötfahnen. Elektrisch: Nennstrom: 1,0 A max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. Spannungsfestigkeit: 500 V AC Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 V DC Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C
Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P, PUSH PULL, H1,5 mm KLS1-SIM-091
Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P, PUSH PULL, H1,5 mm Elektrisch: Nennstrom: 1,0 A Nennspannung: 30 V Kontaktwiderstand: 50 mΩ Max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ Min./500 V DC Dielektrische Spannungsfestigkeit: 500 V AC Lötbarkeit: 250 °C ~ 100 °C, 100 °C 0,5 s Haltbarkeit: 5000 Zyklen Min. Kontaktwiderstand: 50 mΩ Max. Betriebstemperatur: -45 °C ~ +85 °C
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P
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Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P
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Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P
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Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P
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Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P
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Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P
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Micro-SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P+1P oder 8P+1P, H1,50 mm KLS1-SIM-090
Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss; PUSH PUSH, 6P+1P oder 8P+1P, H1,50 mm Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 5,0 Veff Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 M min. Spannungsfestigkeit: 250 V ACeff für 1 Minute. Betriebstemperaturbereich: -45 °C bis +105 °C Material: Isolator: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, schwarz Anschluss: Kupferlegierung, alle Anschlüsse mit Gold-Flash-Beschichtung und mindestens 50 µm Nickel-Unterbeschichtung. Gehäuse: Edelstahl, 50 µ&...
Micro-SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P oder 6P+1P, H1,35 mm KLS1-SIM-069
Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P oder 6P+1P, H 1,35 mm, ohne Pol. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0 Kontakt: Kupferlegierung, 50U” Ni-beschichtet Gesamtkontakt Au 1U Gehäuse: SUS, 50U” Ni-beschichtet Gesamtkontakt Au 1U Selektiver Kontaktbereich Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A max. Nennspannung: 5 V AC/DC Kontaktwiderstand: 100 m max. Isolationswiderstand: 1000 M min./500 VDC Umgebungsfeuchtigkeitsbereich: 95 % RH max. Mati...
Micro-SIM-Kartenanschluss 8P, PUSH PULL, H2,4mm KLS1-SIM-044-8P
Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss 8P, Push-Pull, H2,4 mm Material: Basis: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Datenkontakt: Kupferlegierung, vergoldet. Gehäuse: Edelstahl, vergoldet. Elektrisch: Kontaktwiderstand: 50 mΩ typisch, 100 Ω max. Isolationswiderstand: >1000 MΩ/500 V DC. 3. Lötbarkeit Dampfphase: 215 °C, 30 Sek. max. IR-Durchfluss: 250 °C, 5 Sek. max. Manuelles Löten: 370 °C, 3 Sek. max. Betriebstemperatur: -45 °C bis +105 °C
Micro-SIM-Kartenanschluss 6P, PUSH PULL, H2,4mm KLS1-SIM-044-6P
Produktbilder Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss 6P, Push-Pull, H2,4 mm Material: Basis: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Datenkontakt: Kupferlegierung, vergoldet. Gehäuse: Edelstahl, vergoldet. Elektrisch: Kontaktwiderstand: 50 mΩ typisch, 100 Ω max. Isolationswiderstand: >1000 MΩ/500 V DC. 3. Lötbarkeit Dampfphase: 215 °C, 30 Sek. max. IR-Durchfluss: 250 °C, 5 Sek. max. Manuelles Löten: 370 °C, 3 Sek. max. Betriebstemperatur: -45 °C bis +105 °C
SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P+2P, H1,80 mm, mit oder ohne Anschluss. KLS1-SIM-110
Produktbilder Produktinformationen SIM-Karten-Anschluss; PUSH PUSH, 6P+2P, H1,80 mm Mit oder ohne Anschluss. Material: Gehäusematerial: LCP UL94V-0 Kontaktmaterial: Zinnbronze Verpackung: Gurtverpackung Elektrische Eigenschaften: Nennspannung: 100 V AC Nennstrom: 0,5 A max. Spannungsfestigkeit: 250 V AC/1 Minute Isolationswiderstand: ≥1000 ΜΩ Kontaktwiderstand: ≤30 mΩ Lebensdauer: >5000 Zyklen Betriebstemperatur: -45ºC~+85ºC- English
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