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Produktinformationen
Micro-SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P+1P oder 8P+1P, H1,50 mm
Elektrisch
Nennstrom: 0,5 A
Nennspannung: 5,0 Vrms
Kontaktwiderstand: 100 mΩ max.
Isolationswiderstand: 1000 M min.
Spannungsfestigkeit: 250 V ACrms für 1 Minute.
Betriebstemperaturbereich: -45 °C bis +105 °C
Material:
Isolator: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, Schwarz
Anschluss: Kupferlegierung, Gold-Flash-Beschichtung auf allen Anschlüssen und mindestens 50 u Zoll Nickel-Unterbeschichtung auf der gesamten Oberfläche.
Gehäuse: Edelstahl, 50u, Nickel-Unterbeschichtung auf der gesamten Oberfläche, Goldblitz auf der Lötfläche.
Vorherige: 158x90x60mm Wasserdichtes Gehäuse KLS24-PWP111T Nächste: Micro-SIM-Kartenanschluss; PUSH PUSH, 6P oder 6P+1P, H1,35 mm KLS1-SIM-069