Doppel-SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, H3,0 mm KLS1-SIM2-002A
Produktinformationen Doppel-SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, H3,0 mm. Material: Gehäuse: hitzebeständiger Kunststoff, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Schale: Edelstahl. Verarbeitung: Anschluss: Kontaktfläche vergoldet, Lötfahnen matt verzinnt, vernickelt. Schale: Lötfahnen vergoldet, vernickelt. Elektrisch: Kontaktwiderstand: 50 mΩ. Max. Spannungsfestigkeit: 350 V AC rms für 1 Minute. Isolationswiderstand: 1000 MΩ...
2-in-1-Micro-SIM- und SD-Kartenanschluss, 8P, H2,26 mm KLS1-SIM-109
Produktinformationen: 2-in-1-Micro-SIM- und SD-Karten-Anschluss, 8P, H2,26 mm. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, vergoldet im Kontaktbereich 1u, Lötbereich vergoldet 1u. Oberschale: Edelstahl, Nickelplatte 50u. Unterschale: SUS304 R-1/2H T=0,10 mm, Nickelplatte 50u. Elektrisch: Einsteckkraft 1 kgf max., Ausziehkraft 0,1 kgf min. Haltbarkeit: SIM 5000 Zyklen, Kontaktwiderstand: Vor dem Test 8...
Doppelter SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, H3,0 mm KLS1-SIM-033
Produktinformationen: Doppel-SIM-Karten-Anschluss, Push-Pull, H 3,0 mm. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, Schwarz. Anschlüsse: Kupferlegierung. Alle Anschlüsse hauchvergoldet und mindestens 12,7µm vernickelt. Gehäuse: Edelstahl. Mindestens 12,7µm vernickelt, Lötfläche hauchvergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5,0 Vrms. Isolationswiderstand: Mindestens 1000 MΩ bei 500 V Gleichspannung. Spannungsfestigkeit: 250 V AC RMS für 1 ...
2-in-1-SIM-Karte + Micro-SD-Anschluss, PUSH PULL, H2,7 mm KLS1-SIM-024
Produktinformationen 2-in-1-SIM-Karte + Micro-SD-Anschluss, Push-Pull, H 2,7 mm. Elektrisch: Spannung: 100 V AC. Stromstärke: 0,5 A max. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Spannungsfestigkeit: 500 V AC. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Mechanisch: Kraft beim Einstecken und Herausziehen der Karte: 13,8 N max. Eindrückkraft: 19,6 N max. Haltbarkeit: 10.000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C. Teilenummer. Beschreibung. STK./Karton. GW (kg). CMB (m3). Bestellmenge. Zeit...
Nano-SIM-Kartenanschluss; PUSH PULL, 6-polig, H1,40 mm KLS1-SIM-113
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss; Push-Pull, 6-polig, H 1,40 mm. Material: Isolator: LCP, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 mm (1,27 mm) Nickel beschichtet, Kontakt komplett aus Au 1 mm. Gehäuse: SUS, 50 mm (1,27 mm) Nickel beschichtet, PAD Au 1 mm. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A AC/DC max. Nennspannung: 30 V AC/DC. Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Betriebstemperatur: -45ºC bis +85ºC. Artikelnummer: Beschreibung. Stück/Karton. Gewicht (kg). Kubikmeter (m³). Bestellmenge...
Nano-SIM-Kartenanschluss, PUSH PUSH, 6-polig, H1,37 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-066
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss, Push-Push, 6-polig, H 1,37 mm, mit CD-Pin. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung, 50 u vernickelt, PAD Au 1 u. Gehäuse: Edelstahl, komplett Ni, 30 U/min. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A, Nennspannung: 5 V AC/DC, Kontaktwiderstand: max. 100 mΩ, Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ/500 V DC, Betriebstemperatur: -45ºC bis +85ºC. Artikelnummer: Beschreibung, Stück/Karton, G...
Nano-SIM-Kartenanschluss, PUSH PUSH, 6-polig, H1,25 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-103
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss, Push-Push, 6-polig, H 1,25 mm, mit CD-Pin. Material: Kontakt: Kupferlegierung, Au über Ni. Gehäuse: Glasgefülltes LCP. Schale: Edelstahl. Au über Ni. GND-Rahmen: Kupferlegierung, Au über Ni. Erkennungsschalter: Kupferlegierung, Au über Ni. Schieber: Glasgefülltes Pa10t. Feder: Edelstahl. Haken: Edelstahl. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A max. Nennspannung: 30 V AC. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 VDC. Dielektrischer Widerstand...
Nano-SIM-Kartenanschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,55 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-104
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,55 mm, mit CD-Pin. Elektrisch: Nennstrom: 1 Ampere/Pin. Spannung: 30 V DC. Max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. anfänglich. Spannungsfestigkeit: 500 V AC min. für 1 Minute. Isolationswiderstand: 100 MΩ min. 500 V DC für 1 Minute. Haltbarkeit: 1500 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C. Teilenummer: Beschreibung, Stück/Karton, Gewicht (kg), Kubikmeter (m³), Bestellmenge, Zeit oder...
Nano-SIM-Kartenanschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,5 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-102
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,5 mm, mit CD-Pin. Elektrisch: Nennstrom: 1 Ampere/Pin. Spannung: 30 V DC. Max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. anfänglich. Spannungsfestigkeit: 500 V AC min. für 1 Minute. Isolationswiderstand: 100 MΩ min. 500 V DC für 1 Minute. Haltbarkeit: 1000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C. Teilenummer: Beschreibung, Stück/Karton, Gewicht (kg), Kubikmeter (m³), Bestellmenge, Zeit, Bestell...
Nano-SIM-Kartenanschluss; MID-Mount-Tray-Typ, 6-polig, H1,5 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-100
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss; MID-Montage-Tray-Typ, 6-polig, H1,5 mm, mit CD-Pin. Material: Kunststoff: LCP, UL94V-0, Schwarz. Kontakt: C5210, Gehäuse: SUS304, Tray: LCP, UL94V-0, Schwarz. Beschichtung: Kontakt: Kontaktbereich: G/F-Beschichtung; Lötfahnenbereich: 80 µm Mattzinn. Gehäuse: Beschichtung über 30 µm Ni. Lötbare 30 µm Ni-Beschichtung insgesamt. Kontakt- und Fahnenkoplanarität insgesamt 0,10 mm. Teilenummer Beschreibung STK/KARTON GW (kg) CMB (m³) Bestellmenge Zeit Bestellung
Nano-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,4 mm, Scharniertyp, mit CD-Pin KLS1-SIM-101
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,4 mm, klappbar, mit CD-Pin. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, vergoldete Kontaktflächen und Lötfahnen, vernickelt. Gehäuse: Edelstahl, vergoldete Lötfahnen, vernickelt. Elektrisch: Nennstrom: max. 0,5 A, Nennspannung: 30 V AC, Kontaktwiderstand: max. 100 mΩ, Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ/500 V...
Nano-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,4 mm, Scharniertyp, mit CD-Pin KLS1-SIM-077A
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,4 mm, klappbar, mit CD-Pin. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung, plattiert 50u" Ni. Gesamtkontakt: All Au 1U. Gehäuse: SUS, All Ni 30U MIN. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A AC/DC MAX. Nennspannung: 125 V AC/DC. Umgebungsfeuchtigkeit: 95 % RH max. Kontaktwiderstand: 80 mΩ max. Isolationswiderstand: 100 MΩ min./100 V DC. Steckzyklen: 5000. Betriebsdauer ...
Nano-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,4 mm, Scharniertyp, ohne CD-Pin KLS1-SIM-077
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,4 mm, klappbar, ohne CD-Pin. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 mm² Ni-beschichtet. Gesamtkontakt: komplett aus Au 1U. Gehäuse: SUS, komplett aus Ni 30 U/min. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5 V AC/DC. Umgebungsfeuchtigkeit: max. 95 % relative Luftfeuchtigkeit. Kontaktwiderstand: max. 80 mΩ. Isolationswiderstand: min. 100 MΩ/100 V DC. Steckzyklen: 10.000 Einsteckvorgänge. Betriebstemperatur: -45 °C bis ...
Nano-SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, 6-polig, H1,4 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-092
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss, Push-Pull, 6-polig, H1,4 mm, mit CD-Pin. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, selektiv 1u" Au im Kontaktbereich. Gehäuse: Edelstahl, selektive Goldbeschichtung im Lötbereich. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A, max. Nennspannung: 30 V AC, Kontaktwiderstand: 100 mΩ, max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ, min./500 V DC, Spannungsfestigkeit: 500 V AC/Minute. Haltbarkeit: 5000...
Nano-SIM-Kartenanschluss; PUSH PULL, 6-polig, H1,35 mm KLS1-SIM-076
Produktinformationen: Nano-SIM-Karten-Anschluss; Push-Pull, 6-polig, H 1,35 mm. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 mm (1,27 mm) Nickel beschichtet, Kontakt komplett aus Au 1 mm. Gehäuse: SUS, 50 mm (1,27 mm) Nickel beschichtet, PAD Au 1 mm. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A AC/DC max. Nennspannung: 125 V AC/DC. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. 500 V DC. Betriebstemperatur: -45ºC bis +85ºC. Teilenummer: Beschreibung...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 8-polig, H1,5 mm, Scharniertyp KLS1-SIM-089
Produktinformationen: Micro-SIM-Karten-Anschluss, 8-polig, H1,5 mm, klappbar. Gehäusematerial: Thermoplast, UL94V-0. Anschluss: Phosphorbronze, T=0,15, Unterseite vernickelt, Kontaktfläche vergolden, Lötfahne verzinnt. Gehäuse: Edelstahl, T=0,15, Unterseite vernickelt, Lötfahne verzinnt. Elektrischer Kontaktwiderstand: max. 60 mΩ. Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ. Spannungsfestigkeit: 500 V AC für 1 Minute. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. Betriebstemperatur: ...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,8 mm, Scharniertyp KLS1-SIM-072
Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H1,8 mm, Scharniertyp. Material: Gehäuse: LCP, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Gehäuse: Edelstahl. Elektrisch: Nennstrom: 1 A max. Nennspannung: 30 V DC max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Durchschlagspannung: 500 V rms/min. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C. Artikelnummer Beschreibung Stück/Karton GW (kg) CMB (m³) Bestellmenge ...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6-polig, H1,5 mm, Tray-Typ KLS1-SIM-075
Produktinformationen: Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H 1,5 mm, Tray-Typ. Material: Isoliermaterial: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Alle Anschlüsse sind hauchvergoldet, mindestens 50 µm vernickelt. Gehäuse: 50 µm vernickelt, Lötfläche hauchvergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A, Nennspannung: 5,0 Veff, Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ/500 V DC, Spannungsfestigkeit: 250 V ACeff für 1 Minute ...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P, PUSH PULL, H1,5 mm KLS1-SIM-099
Produktinformationen: Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, Push-Pull, H 1,5 mm. Gehäusematerial: Thermoplast, UL94V-0. Anschluss: Kupferlegierung, vergoldete Kontaktflächen und Lötfahnen, vernickelt. Gehäuse: Edelstahl, vernickelt, vergoldete Lötfahnen. Elektrisch: Nennstrom: max. 1,0 A. Kontaktwiderstand: max. 30 mΩ. Spannungsfestigkeit: 500 V AC. Isolationswiderstand: min. 1000 MΩ/500 V DC. Betriebstemperatur: -45 °C bis +8 °C.
Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P, PUSH PULL, H1,5 mm KLS1-SIM-091
Produktinformationen Micro-SIM-Karten-Anschluss, 8P, PUSH PULL, H1,5 mm. Elektrisch: Nennstrom: 1,0 A. Nennspannung: 30 V. Kontaktwiderstand: 50 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 V DC. Dielektrische Spannungsfestigkeit: 500 V AC. Lötbarkeit: 250 °C ~ 100 °C, 100 °C 0,5 s. Haltbarkeit: 5000 Zyklen min. Kontaktwiderstand: 50 mΩ max. Betriebstemperatur: -45 °C ~ +85 °C. Teilenummer Beschreibung STK./Karton GW (kg) CMB (m3) Bestellmenge Zeit O...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P, H1,45 mm KLS1-SIM-046
Produktinformationen: Micro-SIM-Karten-Anschluss, 6-polig, H 1,45 mm. Material: Isoliermaterial: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0, schwarz. Anschluss: Kupferlegierung, min. 12,7µm, vollflächig vernickelt, vollflächig verzinnt. Gehäuse: Edelstahl, min. 12,7µm, vollflächig vernickelt, Lötfahne. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 5,0 V Isolationswiderstand: min. 500 MΩ/500 V DC Spannungsfestigkeit: 250 V AC für 1 Minute. Kontaktwiderstand: 100 mΩ ...
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P
Micro-SIM-Kartenanschluss, 6P
Micro-SIM-Kartenanschluss, 8P
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