Micro SD-Kartenanschluss mit Scharnier, H1,9 mm KLS1-TF-017
Produktbilder. Produktinformationen. Micro-SD-Kartenanschluss mit Scharnier, H1,9 mm. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, Entflammbarkeitsklasse UL94V-0, Schwarz. Kontakt: Kupferlegierungen. Abdeckung: Edelstahl. Kontaktflächenbeschichtung: Gold oder Ni. Die Koplanarität der Lötfahne muss innerhalb von 0,10 max. liegen.
Micro SD Kartenstecker Push Push,H1.4mm,mit CD Pin KLS1-TF-016
Produktbilder Produktinformationen Micro-SD-Kartenanschluss Push-Push, H1,4 mm, mit CD-Pin Hinweise: 1. Koplanaritätsspezifikation für alle Lötstellen und Lötpads beträgt 0,10 mm 2. Elektrische Eigenschaften: 2-1. Nennstrom: 0,5 Ampere max. 2-2. Spannung: 100 V DC max. 2-3. Niedriger Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. 2-4. Durchschlagsfestigkeit: AC 500 V rms. 2-5. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. (Endgültig) 100 MΩ min. 3. Mechanische Eigenschaften: 3-1. Haltbarkeit: 5000 Zyklen. 3-2. Betriebstemperatur: -45 °C bis +105 °C ...
Micro SD Kartenstecker Push Pull,H1.42mm,mit CD Pin KLS1-TF-015
Produktbilder Produktinformationen Micro-SD-Kartenanschluss Push-Pull, H1,42 mm, mit CD-Pin Material: Metallgehäuse: Edelstahl, Nickel, insgesamt 50 u Zoll Gehäuse: Flüssigkristallpolymer, UL94V-0, Schwarz. Kontaktanschlüsse: Phosphorbronze. Kontakt: Vergoldet; Lötfahne: Gold 1 u Zoll min. Erkennungsanschluss: Phosphorbronze. Kontakt: Vergoldet; Lötfahne: Gold 1 u Zoll min. Schalteranschluss: Phosphorbronze. Kontakt: Vergoldet; Lötfahne: Gold 1 u Zoll min.
Micro-SD-Kartenanschluss; Scharniertyp, H1,5 mm und H1,8 mm KLS1-TF-007
Produktbilder Produktinformationen Micro-SD-Kartensteckverbinder; Scharniertyp, H1,5 mm & H1,8 mm Material: Isolator: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0. Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Alle Anschlusskontakte sind AU-beschichtet, die Lötfahnen verzinnt. Gehäuse: Edelstahl. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 5,0 Vrms Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 V DC Spannungsfestigkeit: 250 V AC für 1 Minute. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. bei 10 mA/20 mV max. Betriebstemperatur: -45 °C ~...
Mid Mount Micro SD-Kartenanschluss Push-Push, H1,8 mm, Dip mit CD-Pin KLS1-TF-003E
Produktbilder Produktinformationen Mid Mount Micro SD-Kartensteckverbinder Push-Push, H1,8 mm, Dip mit CD-Pin. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0, Schwarz. Anschluss: Kupferlegierung. Gehäuse: Edelstahl. Kontakt: Kontaktfläche: Au G/F, Lötfläche: Mattzinn min. 80µ; Unterplatte Ni min. 30µ. CD-Pin: Kontaktfläche: Au G/F, Unterplatte Ni min. 30µ. Elektrisch: Nennstrom: 1,0 A Nennspannung: 30 V Kontaktwiderstand: max. 50 mΩ Isolationswiderstand: 100...
Micro SD Kartenstecker Push Push,H1.85mm,mit CD Pin KLS1-TF-003
Produktbilder Produktinformationen Micro-SD-Kartensteckverbinder Push-Push, H1,85 mm, mit CD-Pin. Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung T=0,15, 50 u Zoll (ca. 127 µm) Ni-beschichtet. Selektive Kontaktfläche aus Au, 30 µ–70 u Zoll (ca. 81 µ–192 µ) Sn über Ni auf Lötfläche. Gehäuse: T=0,15, 30 u Zoll (ca. 81 µm) Ni-beschichtet. Selektive Kontaktfläche aus Au, 0,5 u Zoll (ca. 127 µm) Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A Nennspannung: 3,3 V Umgebungsfeuchtigkeit: 95 % RH Max. Kontakttemperatur: 5 °C
Micro-SD-Kartenanschluss Push-Push, H1,85 mm, normalerweise geschlossen KLS1-TF-001B
Produktbilder Produktinformationen Micro-SD-Kartensteckverbinder Push-Push, H1,85 mm, normalerweise geschlossen. Material: Gehäuse: LCP, UL94V-0, Schwarz. Kontakt: Phosphorbronze. Gehäuse: SUS304. Elektrisch: Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Spannungsfestigkeit: 500 V AC max. innerhalb einer Minute. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Nennstrom: 0,5 mA AC/DC max. Nennspannung: 100 V RMS min. Steckkraft: 13,8 N max. Trennkraft: 13,8 N min. Kontaktwiderstand: 100 g min. pro Pin. Betriebstemperatur: -45 °C ~ +...
Doppelter SIM-Kartenanschluss, PUSH PULL, H3,0 mm KLS1-SIM-033
Produktbilder Produktinformationen Doppel-SIM-Karten-Anschluss, Push-Pull, H3,0 mm. Material: Gehäuse: Hochtemperatur-Kunststoff, UL94V-0. Schwarz. Anschlüsse: Kupferlegierung. Alle Anschlüsse hauchvergoldet und mit mindestens 12,7µm Nickel unterplattiert. Gehäuse: Edelstahl. Mit mindestens 12,7µm Nickel unterplattiert, Lötfläche hauchvergoldet. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A. Nennspannung: 5,0 Vrms. Isolationswiderstand: mindestens 1000 MΩ bei 500 V DC. Spannungsfestigkeit: 250 V AC RMS für 1 Minute. Kontakt...
2-in-1-SIM-Karte + Micro-SD-Anschluss, PUSH PULL, H2,7 mm KLS1-SIM-024
Produktbilder Produktinformationen 2-in-1-SIM-Karte + Micro-SD-Anschluss, Push-Pull, H2,7 mm. Elektrisch: Spannung: 100 V AC, Stromstärke: 0,5 A max. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Spannungsfestigkeit: 500 V AC. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Mechanisch: Kraft beim Einstecken und Herausziehen der Karte: 13,8 N max. Eindrückkraft: 19,6 N max. Haltbarkeit: 10.000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C. Elektrisch: Spannung: 100 V AC, Stromstärke: 0,5 A max. Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Spannungsfestigkeit...
Nano-SIM-Kartenanschluss; PUSH PULL, 6-polig, H1,40 mm KLS1-SIM-113
Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Kartenanschluss; Push-Pull, 6-polig, H 1,40 mm Material: Isolator: LCP, UL94V-0. Kontakt: C5210, 50 u ” Ni-beschichtet, Kontakt komplett aus Au 1 u. Gehäuse: SUS, 50 u ” Ni-beschichtet, PAD Au 1 u. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A AC/DC max. Nennspannung: 30 V AC/DC Kontaktwiderstand: 30 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min. Betriebstemperatur: -45ºC ~ +85 °C
Nano-SIM-Kartenanschluss, PUSH PUSH, 6-polig, H1,37 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-066
Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6-polig, H1,37 mm, mit CD-Pin Material: Isolator: Hochtemperatur-Thermoplast, UL94V-0. Kontakt: Kupferlegierung, plattiert 50u” Ni insgesamt, PAD Au 1u. Gehäuse: SUS, komplett Ni 30U/MIN. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A Ampere Nennspannung: 5 V AC/DC Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 V DC Betriebstemperatur: -45ºC~+85ºC
Nano-SIM-Kartenanschluss, PUSH PUSH, 6-polig, H1,25 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-103
Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, PUSH PUSH, 6-polig, H1,25 mm, mit CD-Pin Material: Kontakt: Kupferlegierung. Au über Ni. Gehäuse: Glasgefülltes LCP. Schale: Edelstahl. Au über Ni. GND-Rahmen: Kupferlegierung. Au über Ni. Erkennungsschalter: Kupferlegierung. Au über Ni. Schieber: Glasgefülltes Pa10t. Feder: Edelstahl. Haken: Edelstahl. Elektrisch: Nennstrom: 0,5 A max. Nennspannung: 30 V AC Kontaktwiderstand: 100 mΩ max. Isolationswiderstand: 1000 MΩ min./500 VDC Spannungsfestigkeit: 500...
Nano-SIM-Kartenanschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,55 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-104
Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,55 mm, mit CD-Pin. Elektrisch: Nennstrom: 1 Ampere/Pin. Max. Spannung: 30 V DC. Max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ Max. anfänglich. Spannungsfestigkeit: 500 V AC min. für 1 Minute. Isolationswiderstand: 100 MΩ min. 500 V DC für 1 Minute. Haltbarkeit: 1500 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C
Nano-SIM-Kartenanschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,5 mm, mit CD-Pin KLS1-SIM-102
Produktbilder Produktinformationen Nano-SIM-Karten-Anschluss, Tray-Typ, 6-polig, H1,5 mm, mit CD-Pin. Elektrische Eigenschaften: Nennstrom: 1 Ampere/Pin. Max. Spannung: 30 V DC. Max. Kontaktwiderstand: 30 mΩ Max. anfänglich. Spannungsfestigkeit: 500 V AC min. für 1 Minute. Isolationswiderstand: 100 MΩ min. 500 V DC für 1 Minute. Haltbarkeit: 1000 Zyklen. Betriebstemperatur: -45 °C bis +85 °C.